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看点:美国公司宣布全球首款3D内存:64倍容量提升 追上SSD不是梦

发布时间: 2023-05-05 18:52:48 来源:快科技


(资料图片)

5月5日消息,全球主要的两种存储芯片中,NAND闪存已经进入3D时代,容量比2D时代大幅提升,DRAM内存还停留在2D,现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存,旨在解决内存容量瓶颈,容量追上SSD不是问题。

NEO是美国一家存储芯片技术公司,此前推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题,这次推出的3D X-DRAM又号称全球首款类3D NAND的内存技术,将内存带入3D时代,要做内存行业的游戏规则改变者。

3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似,都是通过堆栈层数来提高内存容量,类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术,但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构,因此良率高,成本低,密度大幅提升。

NEO公司承诺,2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈,核心容量128Gb,而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb,实现了8倍容量。

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